مدونة الجودة / المكثفات
سلسلة ترانزستورات MOSFET من نوع ESU: مشاكل مشاركة مكثف التخميد
يُبقي مُخمد RC ذو المعاملات المتساوية ±25% من جهد ناقل البيانات على أحد الأجهزة في مجموعة ترانزستورات MOSFET المتصلة على التوالي، وذلك لأن السعة C_oss تتراوح بين ±20% و±30%، وتختلف سعة التركيب باختلاف الموضع. يُوضح هذا الدليل علاقات السعة والمقاومة لكل جهاز على حدة، والتي تُقلل عدم التوازن إلى ±5%.
سلسلة ترانزستورات MOSFET من نوع ESU: مشاكل مشاركة مكثف التخميد
إجابة هندسية
لا يوزع مكدس MOSFET المتسلسل الجهد بالتساوي إلا عندما تحمل كل عقدة نفس السعة الكلية. تتراوح سعة كل عقدة (C_oss) بين ±20% و±30%، وتتغير سعة التركيب بتغير الموضع، ولذلك يترك مُخمد ذو معلمات متساوية ±25% من الجهد على جزء واحد. قِس كل عقدة، ثم أعطِ كل عقدة قيمة مختلفة لـ C_sn بحيث تتطابق السعة الكلية للعقد، ويقل عدم التوازن عن ±5%.
- قم بقياس سعة العقدة لكل جهاز موجود في مكانه
- أعطِ الجهاز ذو قيمة C_oss الأكبر قيمة C_sn الأصغر
- اجعل قيم C_oss + C_sn + C_p متساوية عبر المكدس
- قم بتعيين R_sn,j من R_sn,0 · √(C_sn,0 / C_sn,j)
- حافظ على نسبة τ_j / τ_k بين 0.8 و 1.25 لكل زوج
الملخص
لا يستطيع ترانزستور MOSFET واحد بجهد 900 فولت تحمل الجهد الأساسي لوحدة تخزين طاقة عالية، لذا يقوم المهندسون بتوصيل اثنين أو ثلاثة على التوالي. تتفاوت سعة المكثف (C_oss) للجهاز بنسبة ±20% إلى ±30%، وتختلف سعة التركيب في كل موضع، وتتباعد أوقات وصول إشارة بوابة الترانزستور بعشرات النانوثواني. يترك مُخمد RC ذو المعاملات المتساوية ±25% من الجهد على الجهاز الواحد. توضح هذه المقالة علاقات السعة (C) والمقاومة (R) لكل جهاز، بالإضافة إلى النتائج المقاسة.
1. مقدمة
يُطبّق مولد الطاقة الكهربائية عالي القدرة جهدًا ابتدائيًا أعلى على محول الخرج مما يستطيع ترانزستور MOSFET واحد بجهد 900 فولت تحمله. يقوم المصممون بتوصيل جزأين أو ثلاثة أجزاء على التوالي، بحيث يشكل جهد 2 × 900 فولت خطًا بجهد 1.8 كيلو فولت، بينما يشكل جهد 3 × 900 فولت خطًا بجهد 2.7 كيلو فولت.
في الحالة المثالية، يتم تقسيم جهد ناقل البيانات في كل من الحالة الثابتة والديناميكية. أما في الحالة الواقعية، فلا يحدث ذلك. تتفاوت سعة المكثف (C_oss) للجهاز بنسبة تتراوح بين ±20% و±30% بين الأجزاء التي تحمل نفس الرقم، وتعتمد سعة التركيب على موضع المشتت الحراري وسُمك الوسادة، وتختلف سعة مسار اللوحة باختلاف الموضع، وتتفاوت أوقات وصول إشارة بوابة القيادة من بضع نانوثوانٍ إلى عشرات النانوثوانٍ.
تُطبّق دائرة التخميد التقليدية ذات المعاملات المتساوية نفس قيمة المقاومة (R) والسعة (C) على جميع الأجهزة، وهو ما يفترض تناظرًا لا يوجد في أي منتج حقيقي. وقد قاس باحثون في جامعة هوا تشونغ للعلوم والتكنولوجيا (لي وما، أشعة الليزر والجسيمات عالية الطاقة، 2024) عدم توازن بنسبة ±25% على ترانزستورات MOSFET من كربيد السيليكون المتصلة على التوالي باستخدام دائرة تخميد ذات معاملات متساوية، وداخل نطاق ±5% باستخدام دائرة تخميد غير منتظمة تُصحّح القيم الطفيلية المختلفة.
تنقل هذه المقالة تلك الطريقة إلى مفتاح الحماية ESU، مع علاقات C و R لكل جهاز، وخطوات الاختبار، ومجموعة الأجزاء التي تحتوي على بناء حجم داخل نفس النطاق.
2. الآلية الأساسية
2.1 تقسيم الجهد عبر مجموعة متسلسلة
قم بنمذجة كل جهاز كمفتاح مثالي S_j بالتوازي مع سعة خرجه C_oss,j، وسعة دائرة التخميد C_sn,j، ومقاومة تفريغه R_leak,j. بعد إيقاف التشغيل، ينقسم جهد الناقل بنسبة معاوقة حالة الإيقاف:
V_j / V_bus = (1/Z_j) / Σ(1/Z_k)
حيث V_j هو الجهد على الجهاز j، و V_bus هو إجمالي جهد الناقل، و Z_j هي معاوقة حالة الإيقاف للجهاز j، ويجري المجموع على كل جهاز k في المكدس.
تُحدد المعاوقة بواسطة C_oss,j و C_sn,j وتيار التسريب للجهاز. إذا كانت جميع قيم C_oss و C_sn متساوية، فسيكون التوزيع متساوياً. لكن العوامل الطفيلية تُخلّ بهذا التساوي.
2.2 قيمة C لكل جهاز من الخريطة الطفيلية
الحل هو جعل مجموع العقد متساوياً عبر المكدس:
C_eq,j = C_oss,j + C_sn,j + C_p,j
حيث C_eq,j هي سعة العقدة للجهاز j، و C_oss,j هي سعة خرجها، و C_sn,j هي سعة التخميد الخاصة بها، و C_p,j هي سعة التركيب واللوحة في ذلك الموضع.
قم بتعيين كل قيمة C_eq,j إلى هدف واحد وقم بحساب قيمة المخمد:
C_sn,j = C_eq_target − C_oss,j − C_p,j
حيث C_eq_target هي القيمة المستهدفة المشتركة، وC_sn,j هي سعة دائرة التخميد للجهاز j، وC_oss,j هي سعة خرجه، وC_p,j هي السعة الطفيلية المحلية. يحتاج الجهاز ذو السعة الطفيلية الكبيرة إلى دائرة تخميد صغيرة، بينما يحتاج الجهاز ذو السعة الطفيلية الصغيرة إلى دائرة تخميد كبيرة.
يكتب فريق هوا تشونغ النتيجة نفسها على شكل توازن للشحنة ويحلها كنظام خطي، والذي يحمل أيضًا حدود السعة الموزعة:
C_sn,j · V_j = C_sn,1 · V_1 + Σ(C_p,j · ΔV)
حيث C_sn,j و V_j هما سعة التخميد وجهد الجهاز j، و C_sn,1 و V_1 هما قيم الفرع المرجعي، و C_p,j هي السعة الطفيلية المحلية، و ΔV هي خطوة الجهد التي يضيفها الحد الطفيلي.
2.3 المقاومة لكل جهاز وثابت الزمن
الفرع ذو قيمة C_sn الأكبر لديه مقاومة عابرة أقل ويأخذ تيارًا أكبر، لذلك يجب أن تكون قيمة R الخاصة به أكبر:
R_sn,j ≈ R_sn,0 · √(C_sn,0 / C_sn,j)
حيث R_sn,j هي مقاومة التخميد للجهاز j، وR_sn,0 هي مقاومة الفرع المرجعي، وC_sn,0 هي سعة التخميد المرجعية، وC_sn,j هي سعة التخميد للجهاز j.
ثم يتبع ذلك الثابت الزمني لكل فرع:
τ_j = R_sn,j · C_sn,j
حيث τ_j هو ثابت الزمن للفرع j، وR_sn,j مقاومة التخميد، وC_sn,j سعة دائرة التخميد. يجب أن تكون جميع قيم τ_j / τ_k ضمن النطاق من 0.8 إلى 1.25، بحيث تتحرك جميع جهود العقد بمعدل مماثل.
2.4 النتيجة المقاسة على مكدس 3.3 كيلو فولت
اختبر فريق هوا تشونغ الطريقة على مجموعة ترانزستورات MOSFET من كربيد السيليكون (SiC) بجهد 3.3 كيلو فولت وتيار 50 أمبير. أظهرت دائرة التخميد ذات المعاملات المتساوية ارتفاعًا مفاجئًا في جهد الإيقاف قدره 2.8 كيلو فولت مع عدم توازن بنسبة 28%. أما دائرة التخميد غير المنتظمة، فقد أظهرت ارتفاعًا مفاجئًا في الجهد قدره 1.9 كيلو فولت مع عدم توازن بنسبة 6%، وتحسنًا في كبح الارتفاع المفاجئ بنسبة 32%.
قم بتغيير فئة الجهد، وتردد التبديل، ومستوى الطاقة، وستجد أن نفس المنطق ينطبق على مفتاح حماية ESU. في حالة 400 واط الموضحة أدناه، انخفض معدل إرجاع المنتج من 8% إلى 0.3%.
3. نقاط الضعف الهندسية
نقطة الضعف الأولى: يصعب قياس السعة الطفيلية
تظهر قيمة C_oss كقيمة نموذجية في ورقة البيانات، بينما تتفاوت القيم الفعلية بشكل كبير. أما قيمة C_p فتعتمد على تصميم اللوحة، والمشتت الحراري، ومادة الوسادة، لذا لا توجد معادلة تحددها. تتخلى العديد من الفرق عن التصميم الدقيق وتلجأ إلى قيم متساوية، مما يُخلّف مخاطر خفية في المنتج.
النقطة الثانية المؤلمة: الأجزاء المتساوية تخفي التوتر حتى أسوأ الحالات
قد يبدو نظام التوصيل ذو المعاملات المتساوية جيدًا عند انخفاض الجهد ومعدل تغير التيار المنخفض، لأن الأجهزة لم تدخل منطقة الخطر بعد. ولكن عند استخدام طاقة وحدة الطاقة الكهربائية بالكامل، أو عند حدوث تغير مفاجئ في الحمل، أو عند حدوث ارتفاع مفاجئ في التيار الكهربائي، يظهر عدم التماثل فورًا. عندها يتعطل أحد الأجهزة، وقد يؤدي هذا العطل إلى حدوث ماس كهربائي.
نقطة الضعف الثالثة: انتشار مقاومة التفريغ يحدد الانقسام الساكن
يعتمد التقسيم الساكن على مقاومات التفريغ المتوازية. يتميز الجزء ذو الأغراض العامة بتفاوت يتراوح بين ±5% و ±10%، و ±200 جزء في المليون لكل درجة مئوية، وانحراف حقيقي على مدار عمره. يُضاف هذا الخطأ الساكن إلى الخطأ الديناميكي، وبالتالي يتراكم الخطأان على نفس الجهاز.
المشكلة الرابعة: عدم وجود ورقة تصميم، مما يؤدي إلى فشل الإنتاج.
لا تملك معظم فرق دعم الأجهزة الكهربائية (ESU) جدولًا لقيم التخميد لكل جهاز، ولا آلية لإدارتها. تنجح الدفعات الصغيرة، ثم تفشل دفعة أجهزة ذات نطاق أوسع من قيم التخميد (C_oss) في الإنتاج بكميات كبيرة.
HVCA-331-10KVالشكل 1 - تعيين التخميد لكل جهاز على مجموعة 3 × 900 فولت: الجهاز ذو أكبر قيمة C_oss يأخذ أصغر قيمة C_sn، مما يؤدي إلى خفض عدم التوازن من 28٪ إلى 6٪.
4. خطوات التصميم
الاستراتيجية 1: قياس سعة العقدة لكل جهاز
استخدم مقياس LCR أو محلل معاوقة لقياس كل جهاز في حالته المركبة. قم بمسح نطاق التردد من 1 كيلوهرتز إلى 1 ميجاهرتز، واستخرج مجموع C_oss، وسعة التركيب، وسعة اللوحة، ورقم النتائج. هذه الأرقام هي المدخلات المباشرة للتصميم.
الاستراتيجية الثانية: طلب قيم C غير قياسية، قيمة واحدة لكل جهاز
خصص مكثفًا مختلفًا لكل جهاز بحيث يبقى التباين الكلي للعقدة ضمن نطاق ±2%. تتوفر قيم مثل 330 بيكوفاراد، و390 بيكوفاراد، و430 بيكوفاراد بتفاوت ±1%، مبنية على N4700 مادة عازلة من الفئة الأولى تحافظ على قيمتها في مواجهة الحرارة والجهد الكهربائي.
الاستراتيجية الثالثة: مطابقة مقاومات التفريغ
استخدم معدل استجابة منخفض للخلايا التائية مقاوم ذو طبقة سميكة بتفاوت ±1% و ±100 جزء في المليون/درجة مئوية. بالنسبة لشبكة معادلة، توصي HVC بقيمة R_leak عند أو أعلى من 10 ميجا أوم، وقدرة مقاومة واحدة من 3 واط إلى 10 واط، وجهد فاصل عند أو أعلى من 50 كيلو فولت تيار مستمر، ومجموعة مطابقة بنسبة ±0.5%.
الاستراتيجية الرابعة: ضبط الثوابت الزمنية في نطاق
استخدم نسبة C لضبط كل R، ثم تحقق من τ_j = R_sn,j · C_sn,j. يجب أن يقع كل زوج ضمن النطاق من 0.8 إلى 1.25. إذا كان أحد الفروع يحمل قيمة C أكبر بكثير، فاقسم R الخاص به على أساس نسبة الجذر التربيعي وتحقق من شكل الموجة مرة أخرى.
الاستراتيجية الخامسة: تحقق من الزاوية الساخنة وخذ عينة من كل دفعة
تتغير قيمة C_oss بتغير درجة الحرارة، لذا أعد قياس شكل الموجة عند أعلى درجة حرارة محيطة، على سبيل المثال +85 درجة مئوية. خذ عينة من 3% إلى 5% من كل دفعة أجهزة للتأكد من أن المجموعة لا تزال تعمل. توفر HVC بيانات درجة الحرارة وتقارير الدفعات لهذه الخطوة.
الاستراتيجية السادسة: بناء نموذج SPICE وتشغيل محاكاة مونت كارلو
قم بنمذجة الدائرة في برنامج LTspice أو Saber باستخدام العناصر الطفيلية المقاسة، ثم قم بمسح نطاق تحمل الجهاز في محاكاة مونت كارلو. هذا يعطي أسوأ حالة لعدم التوازن قبل قطع المعدن، وينتج الأرقام المطلوبة في مراجعة TÜV.
الاستراتيجية 7: تثبيت المكدس في التصاميم ذات التبديل الصلب
أضف مشبك حماية من التيار المتبقي (RCD) عبر مجموعة الدوائر. ثنائي سريع الاستعادة عند 1 كيلو فولت إلى 20 كيلو فولت عكسي مع t_rr عند أو أقل من 100 نانو ثانية يرسل الطاقة إلى مكثف التخميد ويمنع الجهاز الأخير من الانهيار الجليدي.
| معلمة المكون | القيمة النموذجية | شرط الاختبار |
|---|---|---|
| الجهد المقنن (سلسلة HVCT8G) | 10 كيلو فولت العاصمة | جهد عالي 1.5× لمدة 60 ثانية |
| مواسعة | 4700 بيكوفاراد ±20% (472 ميجا) | 1 ميجاهرتز، 1 فولت RMS |
| المقاومة المكافئة التسلسلية عند 1 ميجاهرتز | أقل من 50 ملي أوم | - |
| محاثة الحلقة (وتر E40) | أقل من 8 نانوهيدروجين | تباعد طرفي 40 مم |
| مقاومة العزل | أعلى من 10 جيجا أوم عند 500 فولت تيار مستمر | 25 درجة مئوية، 60% رطوبة نسبية |
| نطاق درجة حرارة | 40 درجة مئوية إلى +125 درجة مئوية | سلسلة IEC 60068-2 |
| قدرة نبض dv/dt | أعلى من 50 كيلو فولت/ميكروثانية | عند الجهد المقدر |
5. أجزاء HVC لمجموعة مفاتيح السلسلة
توفر شركة HVC مجموعة معادلة الجهد الكاملة من مصنع واحد في دونغقوان: أجزاء من الفئة الأولى بقيم مخصصة، ومقاومات ذات طبقة سميكة، وثنائيات سريعة، عبر نطاق جهد من 1 كيلو فولت إلى 150 كيلو فولت.
خمس مواصفات مهمة هنا
- قيم مخصصة بنسبة ±1%. تشير خطوط HVCA وHVCHF إلى 330 بيكوفاراد و390 بيكوفاراد و430 بيكوفاراد، لذلك يحصل كل جهاز على القيمة التي يطلبها اختبار الأداء ويبقى انتشار العقدة ضمن ±2%.
- ESL من 3 نانو هيدروجين إلى 6 نانو هيدروجين. HVCHF المكثفات مقابض الابواب حافظ على مقاومة الفرع منخفضة عند الحافة، مما يمنع الرنين الذي يؤدي إلى عدم توازن المجموعة.
- ±100 جزء في المليون/درجة مئوية و±1% على مقاومة التخميد. يحافظ جزء ذو طبقة سميكة منخفض معامل درجة الحرارة على ثبات التقسيم الساكن من بدء التشغيل البارد إلى الخزانة الساخنة.
- مجموعات متطابقة بنسبة ±0.5%. تقوم شركة HVC بتجميع مكثفات التخميد ومقاومات التفريغ كمجموعة واحدة، لذلك يصل الجهاز 1 والجهاز 2 والجهاز 3 مرقمة ومختبرة.
- طلبية واحدة، ثلاث عائلات. HVRGHP يتم شحن مقاومات أخذ العينات، وثنائيات HVD، وأجزاء التخميد بنفس الطريقة.
تتطلب مجموعة من 3 × 900 فولت على ناقل 2 كيلو فولت HVCA-331-10KV مع HVR-HTE-5W-27R على الجهاز الأكثر استهلاكًا للموارد، HVCA-471-10KV مع HVR-HTE-5W-22R في المنتصف، و HVCA-681-10KV مع HVR-HTE-5W-18R على الأقل، بالإضافة إلى 3 × HVR-HTE-3W-10M مقاومات التفريغ مطابقة لـ ±0.5%.
في عملية بناء قديمة، تحل نفس المجموعة محل مكثف الفيلم مجموعة المخمدات، حيث تضيف سعة اللف مصطلحًا آخر إلى الخريطة الطفيلية التي يجب على التصميم استيعابها.
تسقط الأجزاء في مكانها VISHAY 715C/660R، AVX HP/HW/HK، Murata DHR/DHS، وسلسلة TDK D، لذلك يمكن تحريك موضع واحد في كل مرة بينما يظل باقي التصميم كما هو.
التوصيل والدعم
يتم شحن القطع القياسية خلال 4-8 أسابيع، والمجموعات المتطابقة حسب الطلب خلال 6-10 أسابيع. يدعم نظام HVC اختبار سعة العقدة، وجدول قيم كل جهاز، ونموذج SPICE، وتشغيل محاكاة مونت كارلو.
أرسل رقم قطعة الجهاز، وعدد الأجهزة، وجهد ناقل البيانات، وتردد التبديل، وعدد الدفعات. ستُرسل لك شركة HVC ورقة بيانات تتضمن قيمة لكل جهاز، ومقاومة تخميد لكل جهاز، وجدول ثوابت زمنية، ومجموعة عينات ثنائية خلال خمسة أيام عمل.
6. أسئلة مكررة
س1: لماذا يفشل جهاز التخميد ذو المعاملات المتساوية في مكدس متسلسل؟
نظرًا لاختلاف الأجهزة، تتفاوت سعة المكثف (C_oss) بنسبة تتراوح بين ±20% و±30% بين الأجزاء، وتتغير سعة التركيب بتغير الموضع، وتختلف أوقات وصول إشارة بوابة التشغيل بالنانو ثانية. يستحوذ الجهاز ذو أصغر سعة مكثف على الجزء الأكبر من الجهد. وقد تم قياس عدم توازن بنسبة ±25% في مجموعة متساوية على ركيزة SiC متسلسلة.
س2: كيف أقيس السعة الطفيلية؟
باستخدام مقياس LCR أو محلل المعاوقة، على كل جهاز في حالته المثبتة، من 1 كيلوهرتز إلى 1 ميجاهرتز. المطلوب هو مجموع C_oss، وسعة التثبيت، وسعة اللوحة عند تلك النقطة. يُعدّ الاختبار العملي أفضل من استخدام معادلة رياضية، لأن مادة الوسادة وشكل المشتت الحراري يؤثران على النتيجة.
س3: هل يجب أن يكون المخمد أكبر في الجهاز ذي السعة الأكبر؟
لا. استخدم C_sn,j = C_eq_target − C_oss,j − C_p,j. الجهاز ذو السعة الطفيلية الأكبر يحصل على مُخمد أصغر، لذا فإن إجمالي العقدة يقع على نفس الهدف لكل جهاز. ثم اضبط كل مقاومة R من الجذر التربيعي لنسبة C.
س4: ما هو عدم توازن الجهد المقبول؟
يُعدّ نطاق ±5% هو النطاق المستهدف في حالة التوصيل التسلسلي، مقابل ±25% في حالة التوصيل المتساوي المعايير. في إحدى الحالات بقدرة 400 واط، أدى التوصيل غير المتجانس إلى خفض ذروة الجهد من 1.35 كيلوفولت إلى 950 فولت، وخفض عدم التوازن من ±28% إلى ±4%، ولم يُلاحظ أي انحراف بعد 500 ساعة من التشغيل.
س5: هل أحتاج إلى إعادة فحص التصميم عند درجة الحرارة؟
نعم. تتغير قيمة C_oss مع الحرارة، وبالتالي يتغير توزيعها. أعد قياس شكل موجة التوزيع عند أعلى درجة حرارة محيطة، على سبيل المثال +85 درجة مئوية. خذ عينة من 3% إلى 5% من كل دفعة أجهزة أيضًا، لأن الدفعة الجديدة قد تحمل توزيعًا مختلفًا لقيمة C_oss.
س6: ما الذي يمكن شراؤه بهذا التغيير في الميدان؟
الموثوقية. انخفضت نسبة إرجاع وحدة واحدة بقدرة 400 واط من 8% إلى 0.3% بعد التغيير. كما اجتاز تصميم ألماني بقدرة 600 واط اختبار TÜV من المحاولة الأولى، وارتفع متوسط الوقت بين الأعطال من 45,000 ساعة إلى 92,000 ساعة.
7. المراجع
- IEC 60601-1:2005+AMD1:2012, المعدات الكهربائية الطبية - الجزء 1: المتطلبات العامة للسلامة الأساسية والأداء الأساسيجنيف: اللجنة الكهروتقنية الدولية، 2012.
- IEC 60601-2-54 ، المعدات الكهربائية الطبية - الجزء 2-54: متطلبات خاصة للسلامة الأساسية والأداء الأساسي لمعدات الأشعة السينية المستخدمة في التصوير الشعاعي والتنظير الإشعاعيجنيف: اللجنة الكهروتقنية الدولية، 2018.
- إيك 60384-8، المكثفات الثابتة للاستخدام في المعدات الإلكترونية - الجزء 8: المكثفات الثابتة ذات العازل الخزفي، الفئة 1جنيف: اللجنة الكهروتقنية الدولية، 2015.
- إيك 60270، تقنيات اختبار الجهد العالي - قياسات التفريغ الجزئيجنيف: اللجنة الكهروتقنية الدولية، 2015.
- إريكسون، آر دبليو، وماكسيموفيتش، د. أساسيات إلكترونيات القدرة، الطبعة الثالثة. تشام: سبرينغر، 2020.
- موهان، ن.، أنديلاند، ت.م.، وروبنز، و.ب. إلكترونيات الطاقة: المحولات والتطبيقات والتصميم، الطبعة الثالثة. هوبوكين، نيوجيرسي: وايلي، 2003.
- هـ. وانغ وف. بلايبيرغ، موثوقية المكثفات لتطبيقات وصلة التيار المستمر في محولات إلكترونيات الطاقة - نظرة عامة، مجلة IEEE للمعاملات في التطبيقات الصناعية، المجلد 50، العدد 5، الصفحات 3569-3578، 2014. https://doi.org/10.1109/tia.2014.2308357
- الولايات المتحدة 6,760,215 ، مكثف ذو عتبة انهيار جهد عالية، دي إف ديفو (متعلق ببريسيديو)، مُنح عام 2004، https://www.freepatentsonline.com/6760215.html .
- غيغابايت / تي 17702-2021، 电力电子电容器 (المكثفات لإلكترونيات الطاقة). بكين: 国家市场监督管理总局، 2021.
- رشيد، م.ح. (محرر)، دليل إلكترونيات الطاقة، الطبعة السابعة، أكسفورد: باتروورث-هاينمان، 4.
- فريق هندسة تطبيقات HVC، الجهد العالي السيراميك المكثفات الموارد الفنيةhttps://www.hv-caps.com
أرسل الجهد، والسعة، والتردد، ورسم التركيب، والكمية. ستقوم شركة HVC بترشيح قطعة من فئة N4700 مع بيانات فحص التفريغ الجزئي وتقارير عمر افتراضي لمدة 1000 ساعة خلال 48 ساعة.
إرسال قائمة المواد / طلب عرض أسعار فني →منتجات HVC ذات الصلة
تبديل العاكس ESU: تصميم مصفوفة التخميد RC
القادم →عدم تطابق طاقة التضخيم الترددي للرنين المغناطيسي: هامش جهد مكثف العزل