مدونة الجودة / المكثفات

تصميم مشبك حر الحركة لمقاومة الاندفاعات العكسية في آلات تعليم العلامات

ملخص تنفيذي · أبرز الإنجازات الهندسية

حلقة مغناطيسية سعتها 300 نانو هنري وتيارها 25 أمبير وزمن هبوطها 20 نانو ثانية، تُولّد جهد ارتداد 375 فولت، لذا تصل قيمة الجهد عند نقطة على خط جهد 48 فولت إلى 423 فولت مقابل مفتاح جهد 100 فولت. يُثبّت صمام ثنائي حر عند الحمل الجهد عند 51 فولت، بينما يمتص مكثف تثبيت سعته 208 نانو فاراد مع مقاومة تخميد 2 أوم طاقة 9.4 واط عند تردد 100 كيلو هرتز.

2026-11-01·24 دقائق للقراءة· يقرأ 0 مرات

تصميم مشبك حر الحركة لمقاومة الاندفاعات العكسية في آلات تعليم العلامات

إجابة هندسية

حلقة حثية سعتها 300 نانو هنري عند تيار 25 أمبير وزمن هبوط 20 نانو ثانية تُولّد جهد ارتداد 375 فولت، لذا تصل قيمة الجهد عند نقطة على خط جهد 48 فولت إلى 423 فولت مقابل جهد تشغيل مفتاح 100 فولت. يُثبّت صمام ثنائي حرّ عند الحمل نفس النقطة عند جهد هبوط 3.2 فولت، أي ما مجموعه 51 فولت، وهو ما يُمثّل 51% من الجهد المُقدّر. يُختار مُكثّف التثبيت بسعة 208 نانو فاراد لجهد صعود 30 فولت، ويُخمّد بمقاومة 2 أوم.

  • قم بتركيب الصمام الثنائي الحر على بعد 5 مم من الحمل.
  • حدد الثنائيات ذات الاسترداد السريع مع زمن استرداد أقل من 50 نانوثانية.
  • حدد حجم مكثف التثبيت بناءً على الطاقة، وليس بناءً على العادة.
  • أضف مقاومة تخميد بالقرب من √(L/C) في حلقة التثبيت.
  • قم بتخصيص طاقة المشبك البالغة 9.4 واط لمسار حراري حقيقي.

الملخص

عند انتهاء نبضة التحديد، يستمر محاثة الحلقة في دفع التيار، وبدون مسار مُتحكم به، تعبر هذه الطاقة أقرب وصلة شبه موصلة. تتناول هذه المقالة حساب جهد الارتداد، وهبوط الجهد، وثابت زمن التلاشي، والطاقة المُخزنة، وتردد الرنين لحلقة نبضية 25 أمبير، 300 نانو هنري، ثم تُحدد أربع نقاط ضعف، وست خطوات تصميم، وبيانات الثنائي والمكثف اللذين يحملان طاقة التثبيت عند 100 كيلو هرتز.

1. مقدمة

تنتهي نبضة التحديد بسرعة تفوق قدرة الأسلاك على استيعابها. يقوم مشغل الصمام الثنائي المضخ بدفع عشرات الأمبيرات إلى مجموعة صمامات الليزر الثنائية في أجزاء من النانوثانية، ويقوم مشغل مفتاح Q بتطبيق وإزالة الكيلوفولتات عبر خلية بوكلز، ويقوم المعدِّل بتبديل مرحلة الترددات الراديوية بحواف حادة.

عندما تتوقف إشارة التشغيل، لا يمكن أن يتوقف التيار معها. فحثّ الحلقة للأسلاك، وأسلاك التوصيل داخل مجموعة الثنائيات، وحثّ التمغنط لأي مغناطيسات مقترنة، كلها تستمر في دفع التيار، ويجب أن تذهب تلك الطاقة المخزنة إلى مكان ما.

في غياب مسار مُتحكم به، تعبر الطاقة أقرب وصلة شبه موصلة على شكل ارتفاع مفاجئ في الجهد العكسي. وتتضرر من ذلك صمام الليزر الثنائي نفسه، وموسفت المُشغل، ومرحلة خرج مفتاح Q، وتظهر الأعطال على شكل ارتفاعات مفاجئة غير مُبررة، وموسفتات تتلف بعد أسابيع من التشغيل المتكرر، ومشغلات تتدهور تدريجيًا.

الحل هو مسار مصمم. كل أمبير من الطاقة الحثية المخزنة يحتاج إلى مسار محدد، مصنف للطاقة، ومُدار حرارياً، مبني من صمام ثنائي حر، ومكثف تثبيت، ومقاومة تخميد تعمل معًا.

2. الآلية الأساسية

2.1 جهد الارتداد

عند فتح المفتاح، يتناقص تيار الحمل عبر محاثة الحلقة ويتبع جهد العقدة ميل التيار:

V_kick = L_loop × dI/dt

حيث V_kick هو الجهد المستحث، و L_loop هو محاثة حلقة التيار، و dI/dt هو معدل انخفاض التيار عند الإيقاف.

حلقة مغناطيسية سعتها 300 نانوهنري تحمل تيارًا مقداره 25 أمبير، وتسقط خلال 20 نانوثانية، تُعطي جهدًا مقداره 300 نانوهنري × 1.25 × 10⁹ أمبير/ثانية = 375 فولت. عند توصيلها بخط جهد 48 فولت، يصل جهد العقدة إلى 423 فولت، أي ما يعادل 4.2 ضعف جهد المفتاح المقنن البالغ 100 فولت. في رأس الطباعة حيث تبعد مجموعة الثنائيات 300 مم عن وحدة التشغيل، يُضيف الكابل 0.3 إلى 1 ميكروهنري، أي ما يعادل 90 إلى 300 فولت إضافية.

2.2 ما يفعله الصمام الثنائي الحر بهذا الجهد

يُعطي الصمام الثنائي الموصول عكسياً مع الحمل مساراً محدداً للتيار عند إيقاف التشغيل، ويتم تثبيت العقدة بالقرب من انخفاض الجهد بدلاً من أن تكون حرة الحركة:

V_clamp = V_F + I_LOAD × R_clamp_path

حيث V_clamp هو انحراف العقدة فوق السكة، و V_F هو الانخفاض الأمامي للثنائي الحر، و I_LOAD هو تيار الحمل عند الإيقاف، و R_clamp_path هي مقاومة مسار التثبيت بما في ذلك مقاومة تشغيل الثنائي.

يؤدي انخفاض الجهد بمقدار 0.7 فولت بالإضافة إلى تيار 25 أمبير عبر مقاومة 0.1 أوم إلى تثبيت جهد العقدة عند 3.2 فولت فوق مستوى التغذية، أي 51 فولت إجمالاً. وكانت العقدة نفسها ستصل إلى 423 فولت. يحوّل المشبك إجهادًا زائدًا بمقدار 4.2 ضعف إلى 51% من قدرة المفتاح.

2.3 ثابت زمن التلاشي ودورة عمل الصمام الثنائي

يتناقص تيار العجلة الحرة مع ثابت الزمن الحلقي:

τ = L_loop / (R_loop + R_diode_on)

حيث τ هو ثابت زمن الاضمحلال، و L_loop هو محاثة الحلقة، و R_loop هي مقاومة اللف والتوصيل، و R_diode_on هي مقاومة حالة التشغيل للثنائي.

عندما تكون قيمة R_loop + R_diode_on تساوي 0.15 أوم، فإن حلقة سعتها 300 نانو هنري تتلاشى خلال τ = 2 ميكروثانية، وتحتاج إلى 5τ = 10 ميكروثانية لتنخفض قيمتها إلى أقل من 1% من ذروتها. عند تردد 100 كيلوهرتز، تكون الدورة 10 ميكروثانية بالضبط، لذا فإن الصمام الثنائي الحر يعمل كموصل لمعظم الدورة، ومتوسط ​​تياره، وليس فقط قيمته القصوى، هو الذي يحدد الحد الحراري.

2.4 الطاقة التي يجب أن يمتصها المشبك

تغادر الطاقة الاستقرائية المخزنة الحلقة مع كل نبضة:

E = ½ × L_loop × I_LOAD²

حيث E هي الطاقة لكل نبضة، و L_loop هي محاثة الحلقة، و I_LOAD هو التيار عند الإيقاف.

عند 300 نانو هنري و25 أمبير، تبلغ الطاقة 93.8 ميكرو جول لكل نبضة. عند تردد 100 كيلو هرتز، تبلغ الطاقة المتوسطة 9.4 واط، وتنتقل جميعها إلى الصمام الثنائي للتفريغ، ومكثف التثبيت، ومقاومة التخميد. هذه القيمة 9.4 واط هي القيمة التي يبدأ منها التصميم الحراري.

2.5 قيمة مكثف التثبيت

يقوم مكثف موصول عبر المفتاح بتحويل الطاقة إلى ارتفاع متحكم فيه في الجهد:

C_clamp = L_loop × I_LOAD² / ΔV_clamp²

حيث C_clamp هي سعة التثبيت، و L_loop هي محاثة الحلقة، و I_LOAD هي ذروة التيار، و ΔV_clamp هو الارتفاع المسموح به فوق مستوى السكة.

لزيادة الجهد بمقدار 50 فولت، يلزم مكثف بسعة 75 نانوفاراد ومغناطيسية 300 نانوهنري وتيار 25 أمبير. وللحفاظ على زيادة الجهد عند 30% من الجهد المقنن البالغ 100 فولت، أي 30 فولت، يلزم مكثف بسعة 208 نانوفاراد. يجب أن تتحمل أي من هاتين القيمتين شحنة النبضة كاملةً بتردد 100 كيلوهرتز دون فقدان السعة، وهنا تبرز أهمية استخدام عازل من الفئة الأولى بمعامل فقد طاقة (tanδ) يساوي أو يقل عن 0.1% في التصميم.

2.6 الرنين والتخميد

تشكل سعة الوصلة للمكدس وحث الحلقة رنانًا:

f_ring = 1 / (2π × √(L_loop × C_junction))

حيث f_ring هو تردد الرنين، و L_loop هو محاثة الحلقة، و C_junction هي سعة الوصلة الفعالة للمجموعة.

حلقة كابل بقيمة 1 ميكروهنري مقابل حلقات بقيمة 25 بيكوفاراد عند تردد 32 ميجاهرتز، وحلقة لوحة محكمة بقيمة 300 نانوهنري عند تردد 58 ميجاهرتز. يُعد تخميد الحلقة خطوة تصميم منفصلة عن تثبيت الذروة.

R_damp ≈ √(L_loop / C_clamp)

حيث تمثل R_damp مقاومة التخميد التسلسلي في حلقة التثبيت. عند استخدام 300 نانو هنري و208 نانو فاراد، تكون مقاومة التخميد 1.2 أوم، وعند استخدام 75 نانو فاراد تكون 2 أوم. يحوّل هذا المقاوم رنينًا مستمرًا إلى حركة واحدة مخمدة.

شبكة مشابك حول حلقة نبضية للتحديد بقوة 25 أمبير +V 48 فولت S1 L_loop 300 nH 423 فولت غير مثبت 51 فولت مثبتة مجموعة ثنائيات الليزر حد عكسي 5 فولت صمام ثنائي العجلة الحرة t_rr < 50 نانوثانية مشبك C 208 نانو فاراد R_damp 2 Ω

الشكل 1 - الصمام الثنائي الحر، ومكثف التثبيت 208 نانو فاراد، ومقاومة التخميد 2 أوم، تثبت عقدة الحلقة 25 أمبير عند 51 فولت حيث يصل الارتداد غير المثبت إلى 423 فولت.

3. نقاط الضعف الهندسية

المشكلة الأولى: فقدان مجموعات ثنائيات الليزر بسبب التيار العكسي

يتحمل الصمام الثنائي الليزري تيارًا عكسيًا ضئيلاً (بالميكروأمبير)، ولكنه يتعرض لارتفاعات مفاجئة في الجهد العكسي (بالفولت) عند غياب مسار التيار الحر أو بطئه. يؤدي كل ارتفاع مفاجئ إلى تآكل السطح والوصلة، وعند تردد 100 كيلوهرتز، يظهر التلف المتراكم على شكل انهيار مفاجئ في طاقة الخرج، وهو العطل الذي يُدمر مجموعة من المكونات التي تُقدر قيمتها بمئات الدولارات داخل دائرة تشغيل لا تتجاوز قيمتها عشرات الدولارات.

نقطة الضعف الثانية: خروج ترانزستورات القيادة من نطاقها الآمن مع كل نبضة

يمتص المفتاح الارتداد عندما يكون الصمام الثنائي الحر صغير الحجم أو بعيدًا جدًا، لأن مسار التثبيت له محاثته الخاصة. يخرج الترانزستور عن نطاق تشغيله الآمن لثوانٍ معدودة في كل مرة، ويؤدي الإجهاد المتراكم إلى انهياره. تبدو الأعطال متقطعة حتى يتوقف الجهاز.

المشكلة الثالثة: ارتفاع درجة حرارة الثنائيات الحرة عند دورة التشغيل العالية

حتى الصمام الثنائي الحر الذي يتم اختياره بناءً على التيار فقط قد يتعطل بسبب الحرارة. عند تردد 100 كيلوهرتز، تصل شحنة الاسترداد والفقد الأمامي إلى واط داخل حزمة صغيرة، مما يؤدي إلى ارتفاع درجة حرارة الوصلة، وزيادة زمن الاسترداد مع ارتفاع درجة الحرارة، وتزايد سعة الاندفاع، ودخول الدائرة في مسار تدهور ينتهي بدائرة قصر في الصمام الثنائي ودائرة القيادة.

نقطة الألم الرابعة: رنين غير مُخمد يُزعج العلامة

تُؤثر الحلقة الموجودة بين محاثة الحلقة وسعة الوصلة على استواء قمة النبضة وتُدخل خطأً في الطاقة في كل علامة. على المعدن، تُؤدي نسبة ضئيلة من التباين بين النبضات إلى تغيير لون العلامة وعمقها. كما تُشعّ الحلقة أيضًا، مُقترنةً بمشفّر الجلفانومتر ومُنتجةً أخطاءً في الموضع تستغرق أسابيع لتتبعها.

4. خطوات التصميم

الاستراتيجية 1: ضع الصمام الثنائي الحر عند الحمل

قم بتركيب جهاز فائق السرعة ثنائي سريع الاستعادة يجب أن يكون مسار التثبيت ضمن مسافة 5 مم من مجموعة الثنائيات أو المفتاح، بحيث لا يُضيف أي حث. حدد قيمة t_rr أقل من 50 نانوثانية مقابل دورة 10 ميكروثانية عند تردد 100 كيلوهرتز، واستخدم مكونات مقاومة للانهيار الجليدي، واحرص على إبقاء تيار التثبيت بعيدًا عن أسلاك الاستشعار باستخدام وصلات كلفن.

الاستراتيجية الثانية: تحديد حجم مكثف التثبيت بناءً على الطاقة والارتفاع

احسب قيمة C_clamp = L_loop I²/ΔV² مع ΔV عند 30% من قيمة المفتاح، ثم تحقق من تيار التموج ومقاومة المكثف المكافئة (ESR) عند معدل التكرار. استخدم N4700 أجزاء من الفئة الأولى ذات قيمة tanδ عند أو أقل من 0.1% بحيث يتم تخزين طاقة النبضة كشحنة ولا تُستهلك كحرارة عازلة، وتغطية مراحل الجانب العالي بـ مكثف الفيلم حيث يكون تيار النبضة أكبر.

الاستراتيجية الثالثة: خفف من حدة الحلقة دون إهدار النبضة

أدخل المقاومة R_damp بالقرب من √(L_loop/C_clamp) على التوالي مع حلقة التثبيت. مقاومة غير حثية مقاوم ذو طبقة سميكة يُعدّ هذا العنصر مناسبًا، لأنّ تردد الرنين يبلغ عشرات الميغاهرتز. يمتصّ المقاوم طاقة الرنين بينما يخزّن المكثف الجزء الأكبر من الارتداد، وتستقرّ العقدة في دورة واحدة.

الاستراتيجية الرابعة: التحقق باستخدام اختبار النبض المزدوج واختبار الانفجار

قم بتشغيل نبضتين مفصولتين بزمن إيقاف التشغيل الأقصى عند أقصى تيار ومعدل تكرار، وراقب عقدة المفتاح باستخدام مسبار تفاضلي بتردد 500 ميجاهرتز. ينجح التثبيت عندما لا يتجاوز أي انحراف 80% من تصنيف المفتاح، وينخفض ​​سعة الرنين إلى أقل من 5% من سعة النبضة خلال دورة تذبذب واحدة.

الاستراتيجية الخامسة: تزويد مصدر الطاقة الخاص بالمشبك بمسار حراري

عند متوسط ​​قدرة تثبيت تبلغ 9.4 واط، يؤدي ارتفاع درجة حرارة الغلاف بمقدار 20 درجة مئوية بدلاً من 60 درجة مئوية إلى زيادة عمر المكثف بمقدار 2⁴ = 16، أي 160,000 ساعة مقابل 10,000 ساعة. قم بتوصيل الصمام الثنائي الحر بمشتت حراري، وخفّض مقاومة التخميد، وراقب درجة حرارة غلاف مكثف التثبيت.

الاستراتيجية السادسة: استخدام مكثفات خالية من التفريغ في مشابك الجهد العالي

في مراحل التثبيت باستخدام مفتاح Q وخلايا بوكلز، ضمن نطاق جهد يتراوح بين 15 و40 كيلوفولت، يجب تحديد مكثفات ذات تفريغ جزئي أقل من 5 بيكو كولوم عند الجهد المقنن، والتحقق من هذه القيمة بعد دورات التبريد والتسخين. يُصبح مكثف التثبيت الذي يُظهر تفريغًا مصدرًا للتشويش بين النبضات، مما يُشوه العلامة التي وُضع لحمايتها.

أجزاء مرجعية لفئة التطبيق هذه

تغطي القيم المرجعية أدناه مقوم الجهد العالي 2CL الموجود في نفس مرحلة الإخراج، وليس مشبك التثبيت الحر، الذي يحتاج إلى t_rr أقل من 50 نانوثانية. تظهر سعة وصلة 25 بيكوفاراد في حساب الرنين أعلاه.

معلمة المكونالقيمة النموذجيةشرط الاختبار
جهد عكسي متكرر الذروة10 كيلو فولت VRRMسلسلة 2CL، 25 درجة مئوية
متوسط ​​التيار إلى الأمام0.8 A IF(AV)موجة مستطيلة، درجة الحرارة الحرجة ≤ 85 درجة مئوية
تيار الاندفاع الأمامي100 أمبير عند 8.3 مللي ثانيةارتفاع مفاجئ واحد، IFSM
وقت الاسترداد العكسي< 1 ميكروثانية t_rrدرجة استعادة ناعمة
سعة الوصلة25 بيكوفاراد نموذجيVR = 4 كيلو فولت، 1 ميجاهرتز
درجة حرارة التشغيل55 درجة مئوية إلى +125 درجة مئويةتي جيه ماكس
التسرب الحالي< 5 مللي أمبير عند VRRM25 درجة مئوية، تصنيف كامل

5. مكثفات HVC لشبكة التثبيت

يعتمد سلوك المشبك على قدرة المكثف على الاحتفاظ بقيمته وفقدانه عند معدل النبض. تقوم شركة HVC بتصنيع هذه الأجزاء باستخدام عازل N4700 (T3M) من الفئة الأولى في مصنع مملوك لها في دونغقوان، بمساحة 6,000 متر مربع، ضمن نطاق جهد يتراوح من 1 كيلو فولت إلى 100 كيلو فولت.

ستة معايير مهمة هنا

  • الطاقة المخزنة على شكل شحنة، وليس على شكل حرارة. قيمة tanδ عند أو أقل من 0.1% بمعامل ±30 جزء في المليون/درجة مئوية تحافظ على انخفاض وثبات المقاومة المكافئة للإشعاع عبر المحتوى التوافقي لحافة مدتها 20 نانوثانية.
  • تغطية كل عقدة تثبيت. من مشبك وصلة التيار المستمر منخفض الجهد في مئات الفولتات إلى مشابك مفتاح Q وخلايا بوكلز في عشرات الكيلوفولتات، يغطي نظام عازل مؤهل واحد السلسلة.
  • التفريغ أقل من 5 بيكو كولوم. الأجزاء المحمية لا تصبح مولدات ضوضاء تحت معدل تغير الجهد المتكرر لنبضات الوسم، لذلك يتوقف المشبك عن كونه مصدرًا ويبقى مستهلكًا.
  • تصميم منخفض ESL. يبقى الرنين الذاتي أعلى من تردد الرنين، لذا يتصرف المكثف كسعة في حساب التخميد وتبقى الأرقام صحيحة في التصميم الحقيقي.
  • تشغيل النبضات المتكررة. تحمل المادة العازلة 9.4 واط من طاقة النبضات عند 100 كيلو هرتز دون انحراف السعة، ويبقى التبديد داخل الغلاف الذي يسمح به التصميم الحراري.
  • سجل حافل بالاستبدال. سلسلة 40 كيلو فولت / 441 المكثفات مقابض الابواب تُعد بديلاً مناسباً وسهل التركيب لـ موراتا تُستخدم المكثفات من النوع اللولبي في برنامج إصلاح مصادر الضوء في الطباعة الحجرية، ويقوم مطورو الأشعة فوق البنفسجية العميقة المحليون الآن بتحديد مكثفات HVC المخصصة في مصادر الضوء الجديدة.

التوصيل والدعم

تُشحن القطع القياسية خلال 4 إلى 8 أسابيع، بينما تُشحن مجموعات المشابك مع تقارير اختبار النبض خلال 6 إلى 10 أسابيع. يدعم قسم هندسة تطبيقات HVC تحليل محاثة الحلقة، وتحديد حجم المشبك، وحساب التخميد، والتوزيع الحراري. أرسل شكل موجة النبض، ومعدل التكرار، وذروة التيار، وهندسة الحلقة، وتصنيف المفتاح، ورسم التركيب. تُرسل HVC ورقة اختيار المشبك مع منحنيات ESR مقابل التردد، وبيانات عمر النبض، وتقارير التفريغ خلال خمسة أيام عمل.

6. أسئلة مكررة

س1: ما هو حجم الارتداد بدون مشبك؟

V_kick = L_loop × dI/dt. حلقة مغناطيسية 300 نانوهنري عند تيار 25 أمبير وزمن هبوط 20 نانوثانية تعطي 375 فولت، وحلقة كابل مغناطيسية 1 ميكروهنري تضيف 300 فولت أخرى. على خط جهد 48 فولت، تصل العقدة إلى 423 فولت مقابل جهد مفتاح 100 فولت، أي 4.2 ضعف الحد الأقصى.

س2: ما هو الجهد الذي يبقي عنده الصمام الثنائي الحر العقدة؟

V_clamp = V_F + I_LOAD × R_clamp_path. انخفاض جهد أمامي قدره 0.7 فولت بالإضافة إلى تيار 25 أمبير عبر مقاومة 0.1 أوم يُنتج 3.2 فولت فوق جهد التشغيل، مما يجعل جهد العقدة 51 فولت، أي 51% من قيمة المفتاح. يعمل هذا التثبيت على تحويل إجهاد زائد بمقدار 4.2 ضعف إلى انحراف متوافق.

س3: ما مدى سرعة انخفاض تيار العجلة الحرة؟

τ = L_loop/(R_loop + R_diode_on). مع 300 نانو هنري و0.15 أوم، يكون ثابت الزمن 2 ميكرو ثانية، و5τ يساوي 10 ميكرو ثانية، وهو ما يعادل دورة 100 كيلو هرتز. لذلك، يعمل الصمام الثنائي الحرّ خلال معظم كل دورة، ويحتاج إلى متوسط ​​تيار، وليس فقط قيمة الذروة.

س4: ما مقدار الطاقة والقدرة التي يستهلكها المشبك؟

الطاقة E = ½LI² = 93.8 ميكرو جول لكل نبضة عند 300 نانو هنري و25 أمبير، وعند تردد 100 كيلو هرتز، تُعادل 9.4 واط من متوسط ​​القدرة موزعة بين الصمام الثنائي الحر، ومكثف التثبيت، ومقاومة التخميد. ويُحدد ارتفاع الجهد الناتج عن هذه القدرة (9.4 واط) عمر المكونات الثلاثة.

س5: كيف يمكنني تحديد حجم مكثف التثبيت؟

C_clamp = L_loop I²/ΔV². ارتفاع مسموح به قدره 50 فولت يعطي 75 نانو فاراد، وللحفاظ على الارتفاع عند 30% من قيمة 100 فولت، أي 30 فولت، يلزم 208 نانو فاراد. تحقق من تيار التموج ومقاومة السلسلة المكافئة (ESR) عند معدل التكرار قبل تثبيت القيمة.

س6: ما الذي يوقف الرنين؟

مقاومة متسلسلة بالقرب من √(L_loop/C_clamp) في حلقة التثبيت: 2 أوم مع 75 نانو فاراد و1.2 أوم مع 208 نانو فاراد. يعمل الرنين الحلقي نفسه بتردد 32 ميجاهرتز لحلقة كابل 1 ميكرو هنري و25 بيكوفاراد، لذا يجب أن يعمل عنصر التخميد بترددات تصل إلى عشرات الميجاهرتز ويتطلب تصميمًا غير حثي.

7. المراجع

  1. IEC 60384-1: 2021 ، المكثفات الثابتة للاستخدام في المعدات الإلكترونية - الجزء 1: المواصفات العامة، الطبعة الرابعة. جنيف: اللجنة الكهروتقنية الدولية، 2021.
  2. IEC 61071:2017، مكثفات لإلكترونيات الطاقة، الطبعة 2.0. جنيف: اللجنة الكهروتقنية الدولية، 2017.
  3. غيغابايت / تي 6346.1-2024، اسم المنتج: اسم المنتج (المكثفات الثابتة للاستخدام في المعدات الإلكترونية – الجزء الأول: المواصفات العامة). بكين: 国家市场监督管理总局، 2024.
  4. إشعار رقم 2 من MIL-HDBK-217F، التنبؤ بموثوقية المعدات الإلكترونية، 1995.
  5. إي. كوفيل، دبليو إس زينجل، وجيه. كوفيل، أساسيات هندسة الجهد العالي، الطبعة الثانية، نيونس، 2000.
  6. موهان، ن.، أنديلاند، ت.م.، وروبنز، و.ب. إلكترونيات الطاقة: المحولات والتطبيقات والتصميم، الطبعة الثالثة. هوبوكين، نيوجيرسي: جون وايلي وأولاده، 2003.
  7. واي. تشو، بي. تشين، سي. تيان، جيه. يوان، واي. تشين، محول خطي متوازي مثبت بالديود لاختبار التحمل وقياس التفريغ الجزئي للمعدات الكهربائية، الجهد العالي، المجلد 8، العدد 1، الصفحات 171-182، 2023. https://doi.org/10.1049/hve2.12312.
  8. زد. لي وآخرون، نهج مراقبة ذكي لحالة تدهور مكثف الأغشية المعدنية باستخدام إشارة الموجات فوق الصوتية للتفريغ ذاتي الإصلاح، في ندوة CPSS وIEEE الدولية لتخزين الطاقة وتحويلها (ISESC) لعام 2024، الصفحات 206-211، 2024. https://doi.org/10.1109/isesc63657.2024.10785409
  9. مكثفات غشائية من أنواع MFP للتطبيقات الصعبة، TDK Electronics (EPCOS)، https://www.tdk-electronics.tdk.com/download/1211170/0a03733d8613c569c5a68ff1318e7c46/pdf-en.pdf .
  10. الولايات المتحدة 6,760,215 ، مكثف ذو عتبة انهيار جهد عالية، دي إف ديفو (متعلق ببريسيديو)، مُنح عام 2004، https://www.freepatentsonline.com/6760215.html .
  11. مكثفات سيراميكية عالية الجهد للإلكترونيات الكهربائية، إتش لافيل (إكسيليا)، مقالة فنية من شركة EE Power، https://eepower.com/technical-articles/high-voltage-ceramic-capacitors-for-power-electronics/ .
  12. فريق هندسة تطبيقات HVC، الموارد التقنية للمكثفات الخزفية عالية الجهدhttps://www.hv-caps.com
هل تحتاج إلى مكون مُعتمد لهذا التطبيق؟

أرسل الجهد، والسعة، والتردد، ورسم التركيب، والكمية. ستقوم شركة HVC بترشيح قطعة من فئة N4700 مع بيانات فحص التفريغ الجزئي وتقارير عمر افتراضي لمدة 1000 ساعة خلال 48 ساعة.

إرسال قائمة المواد / طلب عرض أسعار فني →